薄膜厚度与折射率的高速、非破坏、高精度测量
我们通过海量数据和多种分析功能，为质量控制管理提供支持。
ME/SE 系列薄膜厚度测量系统
ME 是二维膜厚测量系统。
・可高精度检测小于 1 nm 的膜厚
・支持全表面扫描，最大可对应 12 英寸（300 mm）晶圆
・专用于光刻胶、自然氧化膜等超薄膜测量
SE 是单点测量系统。
・结构紧凑、操作简单、价格经济
・具有高重复性，非常适合质量控制
・采用可分离式单元，可集成到生产线和研发实验室中
透明基板（选项）
玻璃基板用途
・用于玻璃基板上薄膜的质量控制。
旋涂光刻胶用途
・可检测小于 1 nm 的膜厚。
900 点/分钟的扫描速度，可实现快速的全表面测量。
偏振相机系统
ME/SE 系列是搭载偏振传感器的椭偏仪，采用本公司原创技术。
与传统方式不同，无需偏振滤光片和旋转机构。
・硬件小型轻量
・利用相机高速采集的优势，实现高速实时测量
制造工艺中对全表面测量的需求持续存在。
・膜厚评价从“点”扩展到“面”
变焦与高精度测量
测量尺寸最大支持 12 英寸晶圆。
变焦功能：可对微小区域进行高精度测量
测量光斑尺寸
・广域模式：□ 0.55 mm
・中间模式：□ 55 μm
・高精度模式：□ 5.5 μm
可支持 SMIF 晶圆盒，实现全自动化。
兼容标准 SMIF 晶圆盒。
通过自动开闭和传送机构，可实现全自动测量。
测量时间
4 英寸（100 mm）晶圆
□ 2 mm 间隔 ➡ 3 分钟
较大的测量间隔，适用于短时间测量
适合多片测量及趋势分析
□ 0.5 mm 间隔 ➡ 33 分钟
较小的测量间隔，可获得高质量图像
适合研究机构获取详细分布信息
案例
掩模坯板上的光刻胶膜
以往，在微小区域内定量测量极薄膜的膜厚分布一直非常困难。
ME 可在晶圆内任意位置，对仅数纳米厚的极薄膜进行面分布测量。
旋涂光刻胶膜
极薄膜的高分辨率成像
晶圆尺寸：4 英寸 φ
测量点数：31,400
测量时间：34 分钟
旋涂光刻胶膜（3D）
晶圆尺寸：6 英寸 φ
测量点数：22,500
测量时间：22 分钟
数据分析
其他工具
・统计分析（平均值、标准差）
・支持 CSV 输出
ME-View 基本操作视频
※英文语音、英文字幕